SJT 10790-1996 电子元器件详细规范 3CG21B、3CG21C型高低频放大环境额定的双极型晶体管(可供认证用)

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UDC 62L382<33,中华人民共和国家标准,GB 6355 — 86,降为 SJ/T 10790-96,电子元器件详细规范,3CG21、3cx201、3DX201 型,高低频放大环境额定的双极型晶体管,Detail specification for electronic component,Ambient-rated bi polar transistors for low and highfrequency,amplification type 3CG21、3cX201、3DX201,（可供认证用）,1 986 05 06发布1 986 1 2 01 试行,国家林;隹局批准,中华人民共和国国家标准,电子元器件详细规范,3CG21B. 3CG21c型,高低频放大环境额定的双极型晶体管,UDC 621.382.33,GB 6355—96,Detail specification for electronic component,Ambient rated bipolar tmn^stors for low and highfrequency,amplification type 3CC21B、8CG21C,（可供认证用）,本标准适用于3CG21B、3 CG21c型高低频放大环境额定的双极型晶体管,它是按照GB 6217—,86縞低频放大环境殮的双极型晶体管空白详细规范》制定的。符合GB 4936.1-85《半导体分立器件,总规范》n类的要求°,中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所,家标准局1986-05-06发布1 98672 01 试行,1,G?6355 — 86,mpv,国家标准局,电厂器件质量评定是根据:,GB 4936.1—85,半导体分立器件总规范,3CG21B、3CG21c型,订货资料;见本规范第7条,机械说明,G B 6355— 86,2 简略说明,硅外延材料 P型,金属B- 1型封装,3质量评定类别,I!类,在电子设备中主要做低频放大用,4,53 — 4.95,参考数据,尸to尸 300mW (Tamb= 25 c ),ムエ 300mA,rcEO (ー)〉30V (3 CG21B),rcEO (-)>45 v (3 CG21C),嘘 bo (-)> 4 V,/t>100MHz,厶fe : 40 ~ 270,公称尺寸:单位mm,按SJ 139—81《半导体三级管外形尺寸》中,B-1型（该外型符合1EC 191-2《半导体器,件的机械标准化第一部分半导体器件图的,绘制》中BU + C 7）集电极接管壳,2,4极限值（绝对最大值体系）,参数名称,工作环境温度,贮存^度,集电极一基极电压マ,最大集电极一基极连续（直流）电压,3 CG21B,3 CG21Q,集电极ー发射极电压:,最大集电极ー发射极连续（直流）电压,3 CG21B,3 CG21C,发射极一基极电压キ,最大发射极一基极连续（直流）电压,最大集电极连续（直流）电流,耗散功率,最高有效（等效的）结温,耗散功率的绝对极限值,5电特性,GB 6”5厂86,符号,Tamb,T sts,グ CBO （一）,%BO （一）,E 0( -),‘CEO),グEB 0 (-),Ic,T,Ptot,对检验要求（A组和C组）见本规范的第8条,数,数值,单位,最小值最大值,- 55,f 55,值,175,175,30,45,30,45,4,300,175,300,V,V,V,V,V,mA,mW,（见总规范的第4条）,Tam b= 25 ℃,符号单位,共发射极直流电流放大系数,最小值最大值,试验,组别,A2 b,Pce = - 6 V,Ic ~ 30 mA,色标,黄,绿,蓝,灰,40,55,80,120,180,55,80,120,180,270,共发射极直流电流放大系数,rCE= -iov,/c = 〇. 5mA,んFE(2 ),I,C2b,3,GB 6355-86,续表,WWW,特性和条件,(见总规范的第4条),T*amb = 25 C,符号,数值,单位,最小值 最大值,试验,组别,色标丫,黄,绿,蓝,紫,灰,共发射极直流电流放大系数,f c e . - 3 V,h - 100mA,色标:,黄,绿,蓝,紫,灰,特征频率,レ[c=ー ]0 V,A エ !0mA,/-30MHz,截止电流,集电极一基极截止电流,厂cb 二-30V (B),^cb= -45V (〇,集电极ー发射极截止电流,レ3 二-30V (R),レ’ce - - 45 V (C),高温下的截止电流,集电极一基极截止电流,/ am b~ 125 C,レ’cb ニ ー 20 V (B),Pcb 二 一30 V (C ),发射极一甚极截止电流,レ HB 二 一 4 V,星极ー发射极饱和电压,/b - 3 mA,/〇 二 30 mA,集电极ー发射极饱和电底,力FE ￠3 ),fr,ri,/cBO < 1 >,/c eo,CBO (2 ),Ie b o,レ?BE (sat)( ~),^CE(sat)( 一 ),30,40,55,85,130,30,40,55,85,130,100,卜,0.2,20,1,0.3,卜,MHz,gA,卩A,iA,V,C2b,A4,A2 b,C2b,A2 b,A2 b,A2 b,4,GB 6355—86,特性和条件,（见总规范的第4条）,T 一 oc い 1 am b-ムウし,Ic= 30 mA,7b = 3 mA,集电极ー发射极维持电压,7c = 5 mA,（B）,（C）,共基极输出电容,レ C B = ~ ……

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